Hochreiner CVD-Diamant für Elektronik-, Sensorik- und Quantenanwendungen
Diamant in Elektronikqualität verbindet hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe elektrische Leitfähigkeit und niedrige chemische Verunreinigungen. Er kann in Hochleistungs-Elektronikkomponenten zur Wärmeableitung sowie für Quantencomputing und -sensorik, Röntgendetektion und Strahlungsdetektion eingesetzt werden.
Typische Materialparameter
| Eigenschaft | Einheit | Typisch / Referenz |
| Typische Größe | mm | 5 × 5; 4 × 4 |
| Dicke | mm | 0.05–0.5 |
| Rauheit — beidseitig | nm | <2 in 1 mm² |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | >2000 |
| Stickstoffkonzentration | ppb | <5 |
| Borkonzentration | ppb | <1 |
| Kristallorientierung | — | 100, 110, 111 |
| Bandlücke | eV | 5.47 |
| Spezifischer Widerstand | Ω·cm | >10¹⁰ |
| Dielektrizitätskonstante | — | 5.5 |
Typische Anwendungen
- Hochleistungs-Elektronikkomponenten
- Wärmeverteiler und Wärmesenken
- Quantencomputing und Sensorik
- Röntgendetektion
- Strahlungsdetektion
Diamant mit NV-Zentren
Stickstoff-Fehlstellen-Zentren (NV-Zentren) können zur Präzisionsmessung physikalischer Größen wie Magnetfeldern, elektrischen Feldern und Strömen eingesetzt werden. Die bereitgestellten Produktinformationen umfassen NV-Zentren-Ensemble-Produkte mit hoher Konzentration und kundenspezifisch anpassbaren Größen und Konzentrationen sowie Material mit einzelnen NV-Zentren für grundlegende Untersuchungen von NV-Zentren und quantenbasierte Präzisionsmessungen.
Typische NV-Zentren-Parameter
| Eigenschaft | Einheit | Typisch / Referenz |
| NV-Konzentration | ppb | 100–1000 |
| T1-Kohärenzzeit | ms | ~5 |
| T-Kohärenzzeit | µs | 10–200 |
Material- & technische Unterstützung
Die Materialanforderungen für Elektronik- und Quantenanwendungen hängen stark von Verunreinigungskonzentration, kristallographischer Orientierung, Abmessungen, Dicke, Oberflächenqualität und der vorgesehenen Anwendung ab. Andrews kann diese Anforderungen mit dem Kunden prüfen und die geeignete Lieferspezifikation für CVD-Diamant koordinieren.
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